Арсеньев Дмитрий Германович

Профессор ВАСИЛИЙ ЮРЬЕВИЧ РУДЬ имеет более чем 20 летний опыт исследований физических свойств приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений.

Научные интересы – фундаментальные исследования в области физики и технологии новых алмазоподобных полупроводников, создание и разработки приборов нового поколения на их основе.

На тройных полупроводниках это исследования:

  1. влияния точечных дефектов на физические свойства,
  2. оптические и фотоэлектрические явления,
  3. создание полупроводниковых приборов для поляризационно-чувствительной электроники.

На бинарных полупроводниках – это изучение явления наведенного фотоплеохроизма.

Для биологических объектов – это исследование фотоэлектрических свойств живой ткани и зеленых листьев.

Эти научные исследования неоднократно поддерживались и поддерживаются международными и российскими программами, такими как МНТЦ, CRDF, Copernicus, INTAS, ФЦП «ИНТЕГРАЦИЯ», РФФИ и др.

В.Ю. Рудь имеет более 150 публикаций в реферируемых научных журналах и сборниках докладов российских и международных конференций.

Василий Юрьевич в возрасте 27 лет защитил кандидатскую диссертацию, а в 2005 году защитил докторскую диссертацию по специальности 01.04.10 «Физика полупроводников». Тема диссертационной работы «Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические фотодетекторы на их основе».

Василий Юрьевич Рудь с 1996 года возглавляет Совет молодых ученых Санкт-Петербургского государственного политехнического университета, с 1998 года является членом Совета по поддержке научного творчества молодежи при Губернаторе Санкт-Петербурга. С 2005 по 2008 годы являлся заместителем председателя совета Общероссийской общественной организации «Российский союз молодых ученых», возглавляет Санкт-Петербургское региональное отделение Российского союза молодых ученых. В 2006 году Василий Юрьевич включен в состав Координационного Совета по делам молодежи в научно-образовательной сфере при Совете при Президенте РФ по науке, образованию и технологиям. В 2007 м году В.Ю. Рудь был введен в состав Координационного совета по делам молодежи научной и научно-образовательной сфер при Совете при Президенте РФ по науке, образованию и технологиям, с 2009 года является экспертом этого Совета. В 2009 году Василий Рудь был включен в состав Комиссии при Президенте Российской Федерации по модернизации и технологическому развитию экономики России.

Рудь В.Ю. является бессменным организатором целого ряда всероссийских и международных общедисциплинарных научно-методических форумов, конференций и семинаров, таких как «Политехнический симпозиум «Молодые ученые промышленности Северо-западного региона РФ» , Международный молодежный научный экологический форум стран балтийского региона ЭКОБАЛТИКА» и др.

Рудь В.Ю. является экспертом ряда Конкурсов научной и инновационной тематик, проводимых под эгидой Комитета по науке и высшей школе Правительства Санкт-Петербурга. Рудь В.Ю. является членом международного программного комитета международного симпозиума «ЭКО-ТЕХ» (проводится в г. Кальмар, Швеция регулярно с 1997 ). В 2007 году В.Ю. Рудь был признан «ВИП персоной» Университета г. Кальмар ( Швеция).

C 2007 года - до настоящего времени профессор кафедры общей физики ИМОП СПбГПУ.

2005-2006 Доцент кафедры общей физики Института международных образовательных программ (ИМОП) СПбГПУ.

1997-2005 Доцент кафедры экспериментальной физики Физико-механического факультета СПбГПУ.

1995 - 1997 ассистент кафедры экспериментальной физики Физико-механического факультета СПбГПУ.

1992 - 1995 аспирант Физико-технического факультета СПбГПУ.

1984-1992 студент Физико-технический факультет СПбГПУ.


Опубликованные обзоры и важные работы:

  1. Кесаманлы Ф.П., Рудь В.Ю.и др. Естественный фотоплеохроизм в полупроводниках (Обзор). // ФТП. 1996.T. 30, В.11, C. 1921-1942;

  2. Кесаманлы Ф.П., Рудь В.Ю.и др. Наведенный фотоплеохроизм в полупроводниках.(Обзор). // ФТП. 1998. T. 33, В.5, C. 513-536 ;

  3. Bairamov B.H., Rud’ V.Yu.at all Properties of dopants in ZnGeP2, CdGeAs2, AgGaS2 and AgGaSe2 ( Review). // MRS Bull. 1998.V. 23, N 7, p. 41-44;

  4. S.G.Konnikov, D.Melebaev, V.Yu.Rud' at all Polarimetrical effect on Au-n-GaAs structures Sov. St.Tech. Lett., V. 18, 39-47 (1992);

  5. V.Yu.Rud',Yu.V.Rud' Anisotropy of the charge carrier in II-IV-V2 single crystals Jpn.J.Appl.Phys., V 32,S 32-3,672-674(1993);

  6. Yu.V.Zhilyaev,N.Nazarov,V.Yu.Rud' at all. Photoelectrical properties of p-GaAs/n-Ge structures in linearly polarized light . Semicond., V 28, N 10, 1820-1825 (1994);

  7. V.Ch.Shpunt,V.Yu.Rud' at all Electrical and optical properties of green plant. Tech.Phys.Lett.,V 20, N 19, 65-69(1994);

  8. V.Yu.Rud' at all Photoluminescence study of p-ZnGeP2 single crystals Abstracts 1996 ICEM Meeting , 1996 Fall Meeting Dec 2-6;

  9. Rud’ V.Yu. Surface-barrier structures In/CuIn5Se8: creation and photoelectrical properties.//The VI-th International Youth Environmental Forum “ECOBALTICA’2006” St.-Petersburg, Russia, June 27-29,2006. Book of Proceedings, p. 164-167(2006).;

  10. V.B. Zalesski, V.Yu. Rud’ at all. Cadmium-free thin-film Cu(In,Ga)Se2/In2S3 heterophotoelements: fabrication and properties. Semicond., V41, N 8, 973-978 (2007);

  11. В.Ю. Рудь и др. Фотоэлектрические свойста барьеров Шоттки Al/In2Se3 ЖПС.2008. Т75. р 3. С. 425-427.;

  12. В.Ю. Рудь и др. Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni-n-GaAs. ТКЭА, (2008) №1 (73), 31-34;

  13. В.Ю. Рудь и др. Фотоэлектрохимические ячейки на тройных соединениях CuIn2n+1Se3n+2 (n=3-6) ФТП, 2009, Т. 43, В. 3, С. 391-395;

  14. В.Ю. Рудь и др. Фоточувствительные структуры на монокристаллах ZnP2 тетрагональной модификации. ЖПС, 2009, Т.76, В.2, с. 246-251;

  15. В.Ю. Рудь, Соколов А.В. Урванцева Н.Л. Общая физика. Волновая и квантовая оптика. Учебное пособие для иностранных студентов. СПб: Изд-во «Нестор», 2007.56 стр.;

Сайт управляется системой uCoz